摘要: <正> 一、引言 金-硅面垒型探测器具有下列的特点:能量分辨率高;脉冲上升时间短;耗尽层宽度可调节,因而能甄别不同的射线;脉冲高度与能量之间的线性响应好;对γ射线、中子本底不灵敏,适于在γ射线、中子本底较高的情况下测量带电粒子;工艺简单,成本较低等等。因此,自1949年麦凯(K.G.McKay)首先利用半导体探测器探测射线以来,它在核辐射探测领域中得到了很大的发展。关于金-硅面垒型探测器的制作工艺、探测原理、性能和应用已有报导。